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CHANPIN

锗探测器

作者：peter浏览量：119




1.0 Ge Photodiodes

Features:
• Si over InGaAs (1.7µm, 2.05µm, 2.2µm or 2.6µm)
• Active Area Top Detector(2.0mm or 5.0mm)
• Active Area Bottom Detector (1.0mm, 2.0mm or 3.0mm)
• InGaAs (1.7µm) over InGaAs (1.7µm, 2.05µm, 2.2µm and 2.6µm)
• Active Area Bottom Detector (1.0mm or 2.0mm)
• Standard Package (TO-5 and TO-8)

Applications:
• Optical Pyrometry
• Dual-Band Spectroscopy
• Flame Monitor
• Non-Contact Radiometry

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