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CHANPIN

  • InGaAs高速探测器

    美国 GPD 公司成立于 1973 年，主要提供锗 P-N、P-I-N 的 APD 以及铟镓砷高速 P-I-N 管、 大面元光电探测器，并且能够根据客户的需求定制。 Paremeter Active area??mm?? Cut off wavelength A/W min.

  • 锗血崩二极管

    Detector type Active Dia (mm) Shunt Resistanve (M) Shunt Capacitance (PF),tpy S-010 1.0 500 25 UVS-010 1.0 500 50 S-025 2.5 500 400 UVS-025 2.5 200 300 S-050 5 200 1500 UVS-050 5 50 1000 特性 type Operating Temperature(??) Shunt Resistanv

  • 锗探测器

    1.0 Ge Photodiodes Features: Si over InGaAs (1.7m, 2.05m, 2.2m or 2.6m) Active Area Top Detector(2.0mm or 5.0mm) Active Area Bottom Detector (1.0mm, 2.0mm or 3.0mm) InGaAs (1.7m) over InGaAs (1.7m, 2.05m, 2.2m and 2.6m) Active Area Bottom D

  • 西班牙NIT公司PbSe 中波探测器

    LEPTON DETECTOR 响应波段： MWIR (1 - 5 microns). Formats:1 x 1 毫米，2 x 2 毫米 D*（D*峰值）: 2E9 Jones. 峰值光谱响应：3.7 microns SMD/TO-8 专有的封装，蓝宝石窗口，无分阶段制冷，在室温下有非制冷

  • 德国IFW紫外探测器

    光谱响应范围仅限于 200-400nm 或 (210-380nm)，不需要额外的滤光片来屏蔽可见光或红外辐射 试验证明，即使在 1000W/m2 强度的 254nm 光辐照下，仍然保持长时间的稳定性 ； 绝佳的温度稳定

  • 美国 Infrared中波InSb探测器

    光伏锑化铟探测器采用平顶技术的 pn 结结构，利用的是单晶材料，在 1um-5.5um 之间有着很好的光谱响应。此探测器的性能受背景光的限制（BLIP），但我们可以通过改变他们的入射视场（

  • 美国InfraRed HgCdTe 中长波光电探测器

    美国InfraRed 公司 主要生产HgCdTe和InSb红外探测器，提供各种制冷方式的 HgCdTe 和 InSb 探测器，包括液氮制冷、斯特林制冷和热电制冷。除提供标准产品外, InfraRed还可以根据客户的不同需

  • 美国EOS短波PbS探测器1-2.8um

    硫化铅的探测器的工作波长在1.0-4.5微米。在室温的条件下，该产品具有很高的灵敏度，还有一些附件支持，如滤光片（长波滤光片和带通滤光片）、前置放大器、光纤连接器。这些器件

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