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CHANPIN

  • <2GHz放大光电探测器

    <2GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。固定增益的互阻放大器可以测量<1mw的功率输入。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽

  • >12.5GHz放大光电探测器

    >12.5GHz放大光电探测器内置的PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。当通过50欧姆电阻连接到光谱分析仪时，可

  • 模拟-TTL 光电探测器

    应用： TTL 输出的触发应用 监测调 Q 激光器的输出 监测外调制连续激光器的输出 特点： 可产生模拟或 TTL 输出 脉冲展宽 触发阈值可调

  • PbSe中红外大面积功率探测器

    PbSe中红外大面积功率探测器可以用于测量的波长范围是1.5μm-5.0μm，增益可调倍数为2X或100X，有效面积达到5mm x 5mm，易于校准

  • 22GHz InGaAs光电探测器

    EOT 22GHz (25GHz) InGaAs光电探测器内置PIN光电二极管，通过光伏效应将光功率转换成电流。当通过50欧姆电阻连接到示波器时，可以测量激光器的脉宽。

  • InGaAs高速探测器

    美国 GPD 公司成立于 1973 年，主要提供锗 P-N、P-I-N 的 APD 以及铟镓砷高速 P-I-N 管、 大面元光电探测器，并且能够根据客户的需求定制。 Paremeter Active area??mm?? Cut off wavelength A/W min.

  • 锗血崩二极管

    Detector type Active Dia (mm) Shunt Resistanve (M) Shunt Capacitance (PF),tpy S-010 1.0 500 25 UVS-010 1.0 500 50 S-025 2.5 500 400 UVS-025 2.5 200 300 S-050 5 200 1500 UVS-050 5 50 1000 特性 type Operating Temperature(??) Shunt Resistanv

  • 锗探测器

    1.0 Ge Photodiodes Features: Si over InGaAs (1.7m, 2.05m, 2.2m or 2.6m) Active Area Top Detector(2.0mm or 5.0mm) Active Area Bottom Detector (1.0mm, 2.0mm or 3.0mm) InGaAs (1.7m) over InGaAs (1.7m, 2.05m, 2.2m and 2.6m) Active Area Bottom D

  • ID900时间控制器

    IDQ的时间控制器旨在实现灵活性，高效可靠地解决现代实验室遇到的大量问题。它可实现多种功能：时间标记器，延迟发生器，模式发生器，计数器和鉴频器。

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